专利名称：相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法专利类型：发明专利
发明人：陈俊郎,涂志强,杨世豪申请号：CN201710156122.3申请日：20170316公开号：CN108132578A公开日：20180608
摘要：本发明实施例公开了相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法。一种制作光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积相移器；在所述透光性衬底之上沉积遮蔽层；以及移除所述遮蔽层的一部分及所述相移器的一部分以暴露出所述透光性衬底的一部分。所述相移器具有至少两个半导体层及至少两个介电层。
申请人：台湾积体电路制造股份有限公司
地址：中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：TW
代理机构：南京正联知识产权代理有限公司
代理人：顾伯兴
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