专利名称：一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法专利类型：发明专利
发明人：李诚瞻,魏珂,郑英奎,刘果果,和致经,刘新宇,刘键申请号：CN200710179353.2申请日：20071212公开号：CN101459080A公开日：20090617
摘要：本发明公开了一种制作GaN基场效应晶体管的方法，包括：对GaN基材料层进行表面处理，淀积二氧化硅保护层；光刻形成光刻对准标记，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发标记金属；光刻形成源漏图形，干法刻蚀二氧化硅保护层，蒸发源漏金属；高温退火合金；光刻形成屏蔽有源区图形，离子注入形成有源区隔离；湿法腐蚀二氧化硅保护层；在GaN基材料表面淀积氮化硅，对场效应管进行钝化；电子束直写或光学光刻制作栅线条，干法刻蚀氮化硅和顶层的GaN基材料层形成栅槽结构，蒸发栅金属，金属布线。本发明避免了GaN基材料表面裸露在空气中，防止了GaN基材料表面在制作工艺过程中被污染，抑制了AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周国城
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