专利名称：具有高K栅极电介质的CMOS电路专利类型：发明专利
发明人：C·D·亚当斯,E·A·卡蒂尔,B·B·多里斯,V·纳拉亚南申请号：CN200880012600.2申请日：20080409公开号：CN101663755A公开日：20100303
摘要：公开了一种CMOS结构，其中第一类型的FET包括衬里，所述衬里具有氧化物(20)和氮化物(20’)部分。氮化物部分形成衬里的边缘段。这些氮化物部分能够防止氧气到达第一类型的FET的高k介电栅极绝缘体(10)。该CMOS结构的第二类型的FET器件具有没有氮化物部分的衬里(21)。结果，暴露于氧气能够使第二类型的FET的阈值电压移动，但不会影响第一类型的FET的阈值。该公开还教导用于制造CMOS结构的方法，在所述CMOS结构中不同类型的FET器件的阈值可彼此独立地设定。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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