专利名称：银导电膜及其制造方法专利类型：发明专利
发明人：佐藤王高,久枝穰,冈野卓,尾木孝造申请号：CN200780002215.5申请日：20070109公开号：CN101371316A公开日：20090218
摘要：本发明提供一种银导电膜及其制造方法，所述银导电膜适于薄膜型太阳电池的里面电极侧导电层。薄膜型太阳电池与堆积型太阳电池相比入射光的利用效率高，但是，在薄膜型太阳电池中，光电变换层薄，因此，难以在入射面上直接形成用于有效利用入射光的纹理结构，由上述导电层反射光电变换层未完全吸收的光，返回光电变换层等。但是，存在的问题是，具有低电阻、高反射率的纹理结构、与基板的附着性优异等的适于上述导电层的导电膜不存在。本发明如下解决了上述问题，将上述银导电膜作成在基板上烧结银颗粒而成的膜截面的孔穴密度为3个/μm以下，具有薄膜粗糙度Ra为10～100nm的纹理结构的膜。
申请人：同和电子科技有限公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：李帆
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