LDMOS器件及其形成方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201410381682.5 （22）申请日 2014.08.05

（71）申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

（10）申请公布号 CN105405879A

（43）申请公布日 2016.03.16

（72）发明人 李海艇

（74）专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司

代理人 应战

（51）Int.CI

H01L29/78; H01L21/336;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

LDMOS器件及其形成方法

（57）摘要

一种LDMOS器件及其形成方法，LDMOS器

件包括：绝缘上硅衬底，包括第一衬底、第二衬底和位于第一衬底和第二衬底之间的掩埋层；位于第二衬底上的LDMOS晶体管，包括：位于第二衬底内的阱区位于阱区内的源区和漏区，源区和漏区的深度小于阱区的深度，源区和漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反；覆盖LDMOS晶体管

和第二衬底表面的第一介质层；贯穿所述第一通孔和第一介质层和源区的厚度的第一通孔；位于源区底部的阱区内的第一掺杂区，第一掺杂区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同；填充满第一通孔的第一金属插塞，第一金属插塞与源区和第一掺杂区电连接。本发明的LDMOS器件克服了浮体效应的影响。

法律状态

法律状态公告日

2016-03-16 2016-03-16 2016-04-13 2016-04-13 2018-06-01

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

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说明书

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