专利名称：具有衬底漏极连接的横向金属氧化物半导体场效应
晶体管
专利类型：发明专利
发明人：托马斯·E·格雷布斯,加里·M·多尔尼,丹尼尔·M·金策申请号：CN200980151307.9申请日：20091208公开号：CN102257605A公开日：20111123
摘要：在一种形式中，横向MOSFET包含：作用栅极，其横向定位于源极区域与漏极区域之间，所述漏极区域从单晶半导体主体的上部表面延伸到所述单晶半导体主体的底部表面；及非作用栅极，其定位于所述漏极区域上面。在另一种形式中，所述横向MOSFET包含：栅极，其横向定位于源极区域与漏极区域之间，所述漏极区域从单晶半导体主体的上部表面延伸到所述单晶半导体主体的底部表面，所述源极区域及所述漏极区域具有第一导电性类型；第二导电性类型的重主体区域，其与所述源极区域接触且位于其下面，且所述漏极区域包括接近所述栅极的边缘的经轻掺杂漏极(LDD)区域；及下沉部，其从所述单晶主体的所述上部表面延伸到所述单晶半导体主体的所述底部表面。
申请人：飞兆半导体公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：刘国伟
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容