专利名称：半导体器件及其制造方法和无线通信装置专利类型：发明专利
发明人：伊田勤,小林义彦,桥诘正和,盐川吉则,菊池荣申请号：CN02816331.1申请日：20020528公开号：CN1545727A公开日：20041110
摘要：此处公开的是一种半导体器件，它能够减小在多级放大单元末级的晶体管的输出端子处产生的寄生电感的变化。包括末级晶体管的半导体芯片的一边被置于与形成在布线衬底中的正方形凹陷的内壁相接触，以便半导体芯片被准确地定位和固定在凹陷的底部，晶体管的漏金属丝从而被固定。然后，其中芯片顶部上排列漏电极的芯片边沿被置于与更靠近漏键合焊点的凹陷内壁(一边)相接触。然后，尺寸与芯片尺寸相同的金属化层被形成在凹陷底部处，以便与凹陷的内壁(一边)相接触，然后，预定数量的熔融键合材料被提供在金属化层上。然后，键合材料回流，致使芯片的一边由于表面张力驱动的熔化的键合材料的自对准作用而被置于与内壁的一边相接触。
申请人：株式会社瑞萨科技,瑞萨东日本半导体公司
地址：日本东京
国籍：JP
代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王永刚
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