专利名称：半导体结构及其形成方法,PMOS晶体管及其形成
方法
专利类型：发明专利发明人：涂火金,林静
申请号：CN201110180763.5申请日：20110629公开号：CN102856202A公开日：20130102
摘要：一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的PMOS晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧半导体衬底内的凹槽；在所述凹槽底部形成硅锗种子层；在所述硅锗种子层表面形成第一硅锗渐变层；在所述第一硅锗渐变层上形成硅锗体层，且所述硅锗体层表面低于半导体衬底表面，并在栅极结构两侧硅锗体层内形成源/漏极。通过本发明可以减小PMOS晶体管中硅锗体层的错位，提高半导体器件的性能。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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