专利名称：实现忆感器特性的模拟电路专利类型：实用新型专利发明人：王光义,靳培培,王晋申请号：CN201521019998.6申请日：20151210公开号：CN205232190U公开日：20160511
摘要：本实用新型公开了一种实现忆感器特性的模拟电路，该电路包括忆感器等效电路和磁通量产生电路，磁通量产生电路由集成运算放大器U1构成作为忆感器等效电路的输入，集成运算放大器U1用于实现第一积分器和反向放大器；忆感器等效电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现第二积分器和加法器；反向放大器和第二积分器与乘法器相连，实现信号的相乘，并将输出作用于加法器得到最终的忆感器电流量。该模拟电路只含有1个集成运算放大器芯片和1个乘法器，结构简单，在目前及未来无法获得实际忆感器件的情况下，可代替实际忆感器实现与忆感器相关的电路设计、实验以及应用，对忆感器的特性和应用研究具有重要的实际意义。
申请人：杭州电子科技大学
地址：310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
国籍：CN
代理机构：杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：杜军
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