专利名称：隧穿场效应晶体管及其制备方法专利类型：发明专利发明人：杨喜超,张臣雄申请号：CN201580082816.6申请日：20150901公开号：CN107924941A公开日：20180417
摘要：提供一种隧穿场效应晶体管(TFET)及其制备方法，属于半导体技术领域。TFET中的沟道区(202)连接源区(201)和漏区(203)；口袋层(204)和栅氧层(205)依次制备于源区与栅区之间；源区中的第一区域制备有金属层，第一区域位于源区与口袋层相接触侧，口袋层至少部分覆盖金属层；口袋层与源区中的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结。本发明通过源区中的第一区域制备有金属层，使得口袋层与源区中非金属层所在的第二区域组成TFET的第一隧穿结，口袋层与金属层组成TFET的第二隧穿结，相对于仅由口袋层与源区组成隧穿结的TFET，能够通过口袋层与金属层组成的隧穿结增加隧穿电流，从而实现在不增加TFET版图面积的情况下，增加TFET的隧穿电流。
申请人：华为技术有限公司
地址：518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
国籍：CN
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