完整word版,soiex03部分亦或全耗尽SOI -漏电流分析

最低版本：阿特拉斯5.16.3.R

这个例子模拟在高漏偏压，这个值可以如何作为设计参数提取的漏电流。分析是两个完全耗尽和部分耗尽SOI MOSFET的重复。它表明：

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使用Atlas语法基本SOI结构的定义 DeckBuild中的语法定义的一般结构尺寸 设置传输模式，包括碰撞电离

生成一个ID / VDS VGS = 0.0V曲线 漏电流设计参数提取 绘图输出曲线和结构

SOI MOSFET的漏电流在过去被视为其发展的一个障碍。该电流源，在某些情况下，由于在底部的氧化硅界面的界面电荷存在。这个例子模拟两个部分和全耗尽SOI MOSFET的漏电流分析。

在这个例子中，而不是为同甘共苦SOI薄膜两个阿特拉斯输入文件使用，更通用的输入文件已创建。通过使用DeckBuild中 集的命令，它可以创建输入文件里面的变量。这些变量可以被用来定义网格线或区域边界的位置。

在这个例子中，已经有三个输入文件的修改。 已被修改y.mesh定义使用创建的变量定义y的网格线的位置，并以类似的方式，该地区的 声明也被改为使用这些变量来定义区域边界。接口费，同时在顶部和底部的接口定义的 接口声明。在SOI MOSFET的，这两个接口可以有非常不同的界面电荷值，如这个例子所示。再次，已预定义变量用于定义存在收费的地区。

由于速度过冲的能量平衡模型，和外地的碰撞电离效应，这可能会大大影响设备的特点，应该是亚微米器件模拟。在的模型hcte语句用于设置电子和空穴的能量平衡的解决方案。接下来，影响语句是用来指定要使用的Selberherr碰撞电离模型。碰撞电离在SOI器件是一个重要的现象，即使在相对 较低的电压。影响模型需要这种SOI ID / VDS分析。 余下的ATLAS语法和方法是根据soiex01.in，并有可能会发现它的描述。

加载和运行这个例子，选择的负载例如在DeckBuild中的按钮。这将复制输入文件到当前工作目录和任何支持文件。选择运行按钮来执行的例子。这个例子已初步建立了模拟厚膜部分耗尽晶体管。来模拟薄膜全耗尽晶体管的情况下，需要改变SET语句 设置SIMID = 0.05 组sibot = 0.1 集oxbot = 0.5 例子再次执行。

go atlas #

# Define deckbuild variables set simid=0.2 set sibot=0.4 set oxbot=1.0 #

TITLE SOI device simulation

# SILVACO International 1992, 1993, 1994, 1995, 1996 #

# 0.4um of silicon on 0.6um oxide substrate #

mesh space.mult=1.5 #

x.mesh loc=0.00 spac=0.250 x.mesh loc=1.15 spac=0.02 x.mesh loc=1.5 spac=0.05 x.mesh loc=1.85 spac=0.02 x.mesh loc=3 spac=0.25 #

y.mesh loc=-0.017 spac=0.25 y.mesh loc=0.00 spac=0.0025 y.mesh loc=$simid spac=0.02 y.mesh loc=$sibot spac=0.005 y.mesh loc=$oxbot spac=0.1 #

region num=1 y.max=0 oxide

region num=2 y.min=0 y.max=$sibot silicon region num=3 y.min=$sibot oxide #

#*********** define the electrodes ************

# #1-GATE #2-SOURCE #3-DRAIN #4-SUBSTRATE(below oxide) #

electrode name=gate x.min=1 x.max=2 y.min=-0.017 y.max=-0.017 electrode name=source x.max=0.5 y.min=0 y.max=0 electrode name=drain x.min=2.5 y.min=0 y.max=0 electrode substrate #

#*********** define the doping concentrations ***** #

doping uniform conc=1.75e17 p.type reg=2

doping gauss n.type conc=1e20 char=0.2 lat.char=0.05 reg=2 x.r=1.0 doping gauss n.type conc=1e20 char=0.2 lat.char=0.05 reg=2 x.l=2.0 save outf=soiex03_0.str

tonyplot soiex03_0.str -set soiex03_0.set #

# set interface charge separately on front and back oxide interfaces interf qf=3e10 y.max=$simid interf qf=1e11 y.min=$simid #

# set workfunction of gate contact name=gate n.poly #

# select models

models conmob srh bgn fldmob print hcte impact selb #

solve init #

method newton autonr trap maxtrap=10 #

# Perform leakage current analysis log outf=soiex03_1.log solve prev solve vdrain=0.05

solve vdrain=0.1 vfinal=3.3 vstep=0.1 name=drain #

extract name=\"ids_leakage\" max(abs(i.\"drain\")) #

# plot resultant IDVD leakage current curve tonyplot soiex03_1.log -set soiex03_1.set # quit