专利名称：半导体激光器件及其制造方法专利类型：发明专利发明人：桥本隆宏
申请号：CN200410100551.1申请日：20040909公开号：CN1617400A公开日：20050518
摘要：提供了一种半导体激光器件，其具有由覆层和覆层顶部上设置的盖层组成的脊部，以及在脊部的相对横向侧上形成的填充层。盖层的顶表面和填充层的顶表面在盖层的上侧以135°或更大、但是不大于180°的角度会合。制造器件时，在形成填充层以覆盖脊部之后，形成绝缘膜并从绝缘膜选择性地去除脊部上方的部分，以露出填充层。然后，去除露出的填充层，直到露出脊部的顶表面。
申请人：夏普株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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