Mos对电流的控制作用
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发布时间：2022-04-22 07:55
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热心网友
时间：2022-06-18 03:47
有，MOS管原理就是通过栅源电压去控制漏源电流，即ID=gm*Ugs（此时应保证MOS管处于放大状态），其中gm是低频跨导，有专门的计算公式可以算出来的，与三极管的共射交流电流放大系数贝塔相比，gm变化更快一些。
如果只是做开关，一般导通电压是2-4V，也就是Ugs(th)。不过你要注意，这个电压意味着导电沟道才刚刚形成，此时漏源电阻还是比较大的，如果要比较好的导通，最好使Ugs达到10V左右，这时候的导通状态就比较理想了。
热心网友
时间：2022-06-18 03:48
Mos是靠漏源电压对电流进行*作用。Irf3205做开关时的导通电压是2V~4V。
