igbt上桥臂驱动需要自举电压吗
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发布时间：2022-04-22 07:41
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时间：2023-09-30 00:09
IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 一个IGBT芯片分为正面（有引线引出，对应E极）和反面（焊在铜基板上的那面，对应C极），上管的E连接下管的C,上管的C连接正母线端子，下管的E连接负母线端子，按此原则区分上下管。
